型号:SI3900DV-T1-GE3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) | 描述:MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 2A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 125 毫欧 @ 2.4A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 4nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 830mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
供应商设备封装 | 6-TSOP |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
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